Máy quang phổ (OES) phân tích hợp kim để bàn Hitachi - OE720

Danh mục:

Phân tích vật liệu OES - XRF - LIBS

Vận chuyển giao hàng toàn quốc

Phương thức thanh toán linh hoạt

Gọi ngay 0974692294 để mua và đặt hàng nhanh chóng

Mô tả sản phẩm

Đặc Tính Kỹ Thuật

Sử dụng nhiều công nghệ vượt trội như sử dụng cảm biến CMOS, công nghệ Jet-stream, auto profiling
Máy quang phổ phân tích hợp kim sử dụng phương pháp quang phổ phát xạ rất phổ biến trong phân tích hợp kim nhờ khả năng phân tích được nguyên tố carbon.
Bộ nguồn tạo tia lửa điện thế hệ mới của thiết bị đảm bảo khả năng kích thích tối ưu cho nhiều loại hợp kim khác nhau.
Hệ quang học Multi-CMOS độ phân giải cao cho phép phân tích chính xác cho toàn bộ dải phổ cho tất cả các hợp kim với các nền khác nhau
Bộ gá kẹp mẫu với kết cấu mở cả 3 chiều, cho phép việc phân tích an toàn, hiệu quả cho các mẫu với hình dạng khác nhau, kể cả có hình dạng bất thường.
Khả năng phân tích lên đến 35 nguyên tố (tùy loại hợp kim);
Cấp kèm 1 cơ sở dữ liệu Mác vật liệu (GRADE database) với hơn 350,000 Mác hợp kim theo hơn 15 triệu tên gọi khác nhau từ 70 nước và nhiều tiêu chuẩn (DIN/EN, ASTM, AISI, JIS, Gost… )
Chia sẻ dữ liệu tức thì ONLINE qua Cloud Server với chức năng ExTope Connect

Ứng Dụng

Quality control for process and melt verification: analysis mode/grade identification
All relevant alloying, residual, treatment, trace and tramp elements with low limits of detection
Hợp kim Al
Hợp kim Cu: Bronze, Messing, Cu-Ni
Hợp kim Ni (N 20 ppm)
Hợp kim Mg, Co, Pb, Sn, Zn

Thông Số Kỹ Thuật

Tổng quan
Kích thước	425 mm x 760 mm x 535mm (WxDxH)
Nguồn điện	100 - 250 V AC (50/60 Hz)
Khối lượng	84kg
Công suất tiêu thụ	Tối đa 430W
Công suất tiêu thụ chế độ chờ	45W (50W Source on)
Khí Argon
Độ tinh khiết	Min 4.8
Áp suất đầu vào	3 Bar
Hệ thống quang học
Hệ quang học	Theo nguyên lý Paschen-Runge Mounting
Hệ quang học	Đường truyền ánh sáng trực tiếp đến buồng quang học.
Dải bước sóng phân tích	174 - 670nm (có thể mở rộng lên 766 nm)
Cảm biến	Cảm biến Multi-CMOS (4096 pixel per chip) với độ phân giải Pixel được tối ưu hóa.
Độ tương phản
Tiêu cự	400 mm
Mật độ rãnh
Hệ thống chân không	Bơm có công suất 700w, có độ ồn thấp, ít phát sinh nhiệt và không cần bảo dưỡng bơm.
Hệ thống chân không	Kết nối qua Shut-off-valve, dễ dàng bảo dưỡng và thay thế cửa sổ quang học
Bộ phát plasma	Kỹ thuật phát tia lửa điện năng lượng cao (HEPS) giúp đốt mẫu tốt hơn
	Cài đặt các thông số bằng phần mềm
	Tần số: 80 – 1000 Hz
	Điện áp: 250 - 500 V
Bộ giá kẹp mẫu	Bộ giá kẹp mẫu với kết cấu mở cả 3 chiều, có thể đặt có những mẫu có kích thước
	Kết cấu Jet-Stream-electrode cho thực hiện trên các mẫu nhỏ và mẫu có hình dạng phức tạp. Tối ưu hóa mức tiêu thụ Argon là thấp nhất.
	Bàn kẹp mẫu được điều chỉnh đa năng
	Tấm nắp có thể thay đổi cho từng loại mẫu khác nhau.
Giới hạn phân tích của 1 số nguyên tố	C: 10ppm; Si: 10ppm; P: 2ppm; S:5ppm; N: 500ppm; B:1ppm